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SiC碳化硅衬底

发布时间:2024-01-11      来源:网络


  吉致电子针对碳化硅SIC抛光的4道工艺制程搭配不同型号研磨液抛光液抛光垫(粗磨垫/精磨垫/粗抛垫/精抛垫)。在研磨和抛光应用中提高碳化硅衬底表面质量,同时显著提高材料去除率。

  产品工艺及用途:适用于SiC碳化硅衬底DMP和CMP工艺制程,有效提升效率以及良率,碳化硅抛光液/抛光垫实现国产化替代。

  吉致电子SIC衬底CMP粗磨/精磨工艺:Tip1粗磨液+研磨垫,Ra可达1.22nm及以下;Tip2精磨液+研磨垫,Ra可达0.45nm及以下。

  吉致电子SIC衬底CMP粗抛/精抛工艺:Tip3粗抛液+研磨垫,Ra可达0.13nm及以下;Tip4精抛液+精抛垫,Ra可达0.06nm及以下。

  通风,阴凉,干燥的库房,本品需在5-35℃储存,防止阳光直射及冻结,零度以下因产生不可再分散结块而失效。

  吉致电子的CMP金属抛光液生产技术是引进国外生产技术和设备,特殊化学配方制备而成。吉致电子品质可以媲美进口同类产品。

  吉致电子科技有限公司拥有成熟的加工工艺和先进的生产设备,为不锈钢、铜、铝、陶瓷、导光板、五金产品、蓝宝石、光学玻璃等各类抛光加工服务。为您提供可靠有效的抛光解决方案!

  吉致电子研发团队--15年经验CMP抛光液配方工程师,为您攻克抛光难题!